LENOVO 46W0700 - 8GB (1x8GB, 1Rx4, 1.35V) DDR3L-1600MHz CL11 ECC VLP RDIMM

LENOVO 46W0700 - 8GB (1x8GB, 1Rx4, 1.35V) PC3L-12800 CL11 ECC DDR3 1600MHz VLP RDIMM - Spedizioni espresse in tutto il mondo lo stesso giorno dell ordine.
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Descrizione

LENOVO 46W0700 - 8GB (1x8GB, 1Rx4, 1.35V) DDR3L-1600MHz CL11 ECC VLP RDIMM

Il modulo di memoria Lenovo da 8 GB è una soluzione affidabile ed efficiente per le esigenze di potenziamento di server e PC aziendali. Progettato specificamente per ambienti IT professionali, questo modulo di memoria DDR3L offre una capacità di 8 GB con una configurazione a singolo modulo, ottimizzando così le prestazioni del sistema senza compromettere la compatibilità. Con una velocità di 1600 MHz e una latenza CAS di 11, garantisce un'elaborazione rapida dei dati, ideale per carichi di lavoro intensivi.

Grazie alla tecnologia Registered (buffered) e alla verifica dell'integrità dei dati (ECC), questo modulo di memoria fornisce un elevato grado di affidabilità e stabilità operativa. È particolarmente adatto per applicazioni critiche dove la continuità e l'integrità dei dati sono essenziali. Il design compatto di tipo VLP (Very Low Profile) facilita l'integrazione nei sistemi con spazio limitato, mentre il voltaggio ridotto di 1.35 V contribuisce a un'efficienza energetica superiore, riducendo il consumo di energia complessivo.

La scelta di un componente Lenovo assicura inoltre una perfetta compatibilità con una vasta gamma di server e piattaforme PC, rendendolo una scelta ideale per i responsabili IT e i team di integrazione di sistema che cercano soluzioni di memoria di alta qualità e dal costo contenuto per implementazioni a lungo termine.

Specifications

Brand LENOVO
Co2 Savings 13.64
Caratteristiche
Componente per PC/server
Configurazione della memoria (moduli x dimensione) 1 x 8 GB
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
Fattore di forma memoria 240-pin DIMM
Latenza CAS 11
RAM installata 8 GB
Tipo di RAM DDR3L
Tipo di memoria tampone Registered (buffered)
Velocità memoria 1600 MHz
Voltaggio della memoria 1.35 V

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